ГОСТ Р 71068-2023 МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ. СИСТЕМА ПАРАМЕТРОВ

Наименование параметра

Буквенное обозначение параметра

Параметры, подлежащие обязательному включению в ТУ

Способ задания нормы

Примечание

русское

международное

1 Параметры микросхем

1.1 Выходное напряжение

U_вых

U₀

-

ОП, Р

-

1.2 Выходное напряжение низкого уровня

U_вых.н

U_0L

+

ОП

-

1.3 Выходное напряжение высокого уровня

U_вых.в

U_0H

+

ОП

-

1.4 Выходное пороговое напряжение низкого уровня

U_{пор.вых.н}

U_0TL

+

ОП, Р

Для ЭСЛ-микросхем

1.5 Выходное пороговое напряжение высокого уровня

U_{пор.вых.в}

U_0TH

+

ОП, Р

То же

1.6 Напряжение инжектора

U_инж

U_G

+

ОП, Р

Для И2Л-микросхем

1.7 Прямое падение напряжения на антизвонном диоде

U_пр

U_CDI

-

ОП

-

1.8 Помехоустойчивость при низком уровне

U_пом.н

M_L

-

ОП

-

1.9 Помехоустойчивость при высоком уровне

U_пом.в

M_H

-

ОП

-

1.10 Отрицательное напряжение на выходе при заданном токе

U_{вых.отр}

U_CDO

-

ОП

-

1.11 Ток потребления

I_пот

I_CC

+

ОП

-

1.12 Ток потребления динамический

I_{пот.дин}

I_CCO

-

ОП

-

1.13 Ток потребления в состоянии "Выключено"

I_{пот.выкл}

I_CCZ

-

ОП

Для микросхем с тремя состояниями

1.14 Входной ток

I_вх

I_I

-

ОП, Р

-

1.15 Входной ток низкого уровня

I_вх.н

I_IL

+

ОП, Р

-

1.16 Входной ток высокого уровня

I_вх.в

I_IH

+

ОП, Р

-

1.17 Ток утечки на входе

I_ут.вх

I_LI

-

ОП

Для МДП-микросхем

1.18 Ток утечки низкого уровня на входе

I_ут.вх.н

I_LIL

+

ОП

То же

1.19 Ток утечки высокого уровня на входе

I_ут.вх.в

I_LIH

+

ОП

"

1.20 Ток утечки на выходе

I_ут.вых

I_OL

-

ОП

"

1.21 Ток утечки низкого уровня на выходе

I_{ут.вых.н}

I_OLL

+

ОП

"

1.22 Ток утечки высокого уровня на выходе

I_{ут.вых.в}

I_OLH

+

ОП

"

1.23 Ток короткого замыкания на выходе

I_кз.вых

I_OS

-

ОП

-

1.24 Выходной ток

I_вых

I_O

-

ОП, Р

-

1.25 Выходной ток низкого уровня

I_вых.н

I_OL

+

ОП

Для И2Л-микросхем

1.26 Выходной ток высокого уровня

I_вых.в

I_OH

+

ОП

То же

1.27 Выходной ток в состоянии "Выключено"

I_{вых.выкл}

I_OZ

-

ОП

Для микросхем с тремя состояниями на выходе

1.28 Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено"

I_{вых.выкл.н}

I_OZL

+

ОП

То же

1.29 Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено"

I_{вых.выкл.в}

I_OZH

+

ОП

"

1.30 Потребляемая мощность

P_пот

P_CC

+

ОП

-

1.31 Динамическая потребляемая мощность

P_{пот.дин}

P_CCO

-

ОП

-

1.32 Рассеиваемая мощность

P_рас

P_tot

-

ОП

-

1.33 Время

t

t

+

ОП, Р, НР

-

1.34 Время задержки

t_зд

t_D

-

ОП, Р

-

1.35 Время задержки распространения сигнала

t_зд.р

t_P

-

ОП, Р

-

1.36 Время задержки распространения сигнала при включении

t_{зд.р.вкл}

t_PHL

-

ОП, Р

-

1.37 Время задержки распространения сигнала при выключении

t_{зд.р.выкл}

t_PLH

-

ОП, Р

-

1.38 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено"

t_зд.р13

t_PHZ

-

ОП, Р

-

1.39 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено"

t_зд.р03

t_PLZ

-

ОП, Р

-

1.40 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня

t_зд.р31

t_PZH

-

ОП, Р

-

1.41 Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня

t_зд.р30

t_PZL

-

ОП, Р

-

1.42 Время задержки включения

t_зд.вкл

t_DHL

-

ОП, Р

-

1.43 Время задержки выключения

t_{зд.выкл}

t_DLH

-

ОП, Р

-

1.44 Время выбора

t_в

t_CS

-

ОП

-

1.45 Время цикла

t_ц

t_CY

-

ОП

-

1.46 Время записи

t_зп

t_WR

-

ОП

-

1.47 Время считывания

t_сч

t_RD

-

ОП

-

1.48 Время умножения

t_ум

t_MPL

-

ОП

-

1.49 Время выполнения операции

t_оп

t_OP

-

ОП

-

1.50 Длительность сигнала

τ

t_W

-

ОП, Р, НР

-

1.51 Длительность сигнала низкого уровня

τ_н

t_WL

-

ОП, Р, НР

-

1.52 Длительность сигнала высокого уровня

τ_в

t_WH

-

ОП, Р, НР

-

1.53 Время фронта нарастания сигнала

t_нар.вх

t_LH

-

ОП, Р

-

1.54 Время фронта спада сигнала

t_сп.вх

t_HL

-

ОП, Р

-

1.55 Период следования импульсов тактов сигналов

T_т

T_c

-

ОП, Р

-

1.56 Длительность тактовых сигналов

τ_т

t_W(C)

-

ОП, Р

-

1.57 Длительность импульсов строба

τ_ст

t_W(STB)

-

ОП, Р

-

1.58 Частота

f

f

+

ОП, Р, НР

-

1.59 Частота следования импульсов тактовых сигналов

f_т

f_C

-

ОП, Р

-

1.60 Частота генерирования

f_г

f_g

-

ОП, Р

-

1.61 Входное сопротивление

R_вх

R_I

-

ОП, НР

-

1.62 Выходное сопротивление

R_вых

R_O

-

ОП, НР

-

1.63 Сопротивление входа/выхода

R_вх/вых

R_I/O

-

ОП, НР

Для комбинированных входов-выходов

1.64 Сопротивление резистора, встроенного в микросхему

R_вн

R_R

-

ОП, НР

-

1.65 Входная емкость

C_вх

C_I

+

ОП

-

1.66 Выходная емкость

C_вых

C_O

+

ОП

-

1.67 Емкость входа/выхода

C_вх/вых

C_I/O

+

ОП

Для комбинированных входов-выходов

1.68 Разрядность данных

N_д

N_D

+

Н

-

1.69 Разрядность адреса

N_а

N_A

-

Н

-

1.70 Разрядность команды (микрокоманды)

N_к

[N_мк]

N_INS

[N_MINS]

-

Н

-

1.71 Разрядность каналов

N_кн

N_B

-

Н

-

1.72 Разрядность АЛУ

N_АЛУ

N_ALU

-

Н

-

1.73 Разрядность регистров общего назначения

N_р.о.н

N_RG

-

Н

-

1.74 Разрядность внутренних регистров состояния

N_р.сос

N_RG,SA

-

Н

-

1.75 Количество команд (микрокоманд)

n_к

[n_мк]

n_INS

[n_MINS]

-

Н

-

1.76 Количество каналов ввода информации

n_вв

n_I

-

Н

-

1.77 Количество каналов вывода информации

n_выв

n_O

-

Н

-

1.78 Количество каналов ввода/вывода информации

n_вв/выв

n_I/O

-

Н

-

1.79 Количество регистров общего назначения

n_р.о.н

n_RG

-

Н

-

1.80 Количество внутренних регистров состояния

n_р.сос

n_RG,SA

-

Н

-

1.81 Количество каналов обмена

n_кн.об

n_B,EXC

-

Н

-

1.82 Количество каналов запроса прерывания

n_{кн.прер}

n_B,INR

-

Н

-

1.83 Количество уровня прерывания

n_{ур.прер}

n_INR

-

Н

-

1.84 Количество режимов работы

n_р.р

n_REG

-

Н

-

1.85 Количество адресуемых устройств ввода/вывода

n_{а.вв/выв}

n_A,I/O

-

Н

-

1.86 Количество операций в секунду

n_оп/с

n_OP/S

-

Н

-

1.87 Скорость обмена информацией с внешними устройствами

V_об

V_EXC

-

Н

-

1.88 Объем адресуемой памяти

Q_ад.п

Q_M

-

Н

-

1.89 Объем памяти внутреннего стека

Q_стек

Q_ST

-

Н

-

1.90 Емкость ОЗУ

Q_ОЗУ

Q_RAM

-

Н

-

1.91 Емкость ПЗУ

Q_ПЗУ

Q_ROM

-

Н

-

1.92 Вид адресации

-

-

-

-

-

2 Параметры режима эксплуатации и (или) измерений

2.1 Напряжения питания

U_п

U_CC

+

НР, Р

-

2.2 Напряжение смещения подложки

U_см.п

U_BS

-

НР, Р

-

2.3 Входное напряжение

U_вх

U_I

-

ОП, Р

-

2.4 Входное напряжение низкого уровня

U_вх.н

U_IL

+

ОП, Р

-

2.5 Входное напряжение высокого уровня

U_вх.в

U_IH

+

ОП, Р

-

2.6 Пороговое напряжение низкого уровня

U_пор.н

U_TL

-

ОП, Р

-

2.7 Пороговое напряжение высокого уровня

U_пор.в

U_TH

-

ОП, Р

-

2.8 Ток инжектора

I_инж

I_G

+

НР

-

2.9 Выходной ток низкого уровня

I_вых.н

I_OL

+

ОП

-

2.10 Выходной ток высокого уровня

I_вых.в

I_OH

+

ОП

-

2.11 Ток нагрузки

I_н

I_LD

-

ОП, Р

-

2.12 Время сохранения сигнала

I_сх

t_V

-

ОП, Р

-

2.13 Время хранения информации

t_хр

t_SG

-

ОП

-

2.14 Время установления сигнала

t_ус

t_SU

-

ОП, Р

-

2.15 Время восстановления

t_вос

t_REC

-

ОП, Р

-

2.16 Время удержания

t_у

t_H

-

ОП, Р

-

2.17 Сопротивление нагрузки

R_н

R_L

-

ОП, НР

-

2.18 Емкость нагрузки

C_н

C_L

-

ОП, НР

-

Примечания

1 Для указания способа задания норм на параметры микросхем в настоящей таблице применены следующие обозначения:

- Н - номинальное значение параметра;

- НР - номинальное значение параметра с двухсторонним допускаемым отклонением (разбросом);

- Р - двухсторонние границы значения параметра (разброс) без указания номинального значения;

- ОП - односторонний предел значения параметра без указания номинального значения.

2 Необходимость включения в ТУ на конкретные типы микросхем параметров, не отмеченных как обязательные, а также дополнительных параметров, определяется разработчиком совместно с заказчиком и основным потребителем микросхем.

3 В ТУ устанавливают состав параметров 1.34 - 1.49, 1.59, 1.60, 1.68 - 1.92 в зависимости от специфики микросхем и наиболее полно характеризующий их по быстродействию.

4 В ТУ могут включаться производные параметров 1.34 - 1.57, буквенные обозначения которых образовывают по способу, указанному в ГОСТ Р 57441.

В этом случае способ задания норм на эти параметры следует брать из таблицы 1 для соответствующего параметра как основного.

5 Параметры 2.1, 2.4, 2.5, 2.9, 2.10, 2.18 дополнительно включают в таблицу предельно допустимых и предельных режимов эксплуатации ТУ.

Наименование параметра-критерия годности

Контроль соответствия требованиям

к конструкции

стойкости к внешним воздействующим факторам

надежности

к воздействию специальных факторов

к упаковке

Виды испытаний

на теплостойкость при пайке

на виброустойчивость

на вибропрочность

на ударную прочность

на воздействие одиночных ударов

на воздействие линейного ускорения

на воздействие акустического шума

на воздействие повышенной температуры среды при эксплуатации

на воздействие пониженной температуры среды при эксплуатации

на воздействие изменения температуры окружающей среды

кратковременное

длительное

на воздействие атмосферного пониженного давления

на воздействие повышенного давления

на воздействие инея и росы

на определение запасов устойчивости к воздействию механических, тепловых и электрических нагрузок

на безотказность

на долговечность

на сохраняемость

на хранение при повышенной температуре

на воздействие повышенной влажности воздуха

Параметры функционального контроля

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Выходное напряжение низкого уровня (выходной ток низкого уровня)

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Выходное напряжение высокого уровня (выходной ток высокого уровня)

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Входной ток низкого уровня

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Входной ток высокого уровня

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Напряжение инжектора

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Ток потребления

+

+

+

+

+

+

о

+

+

+

+

+

+

+

о

о

+

+

+

о

о

+

Динамические параметры, наиболее полно характеризующие микросхемы по быстродействию

-

-

-

-

-

-

-

+

+

-

-

-

-

-

-

-

+

+

+

-

о

-

Выходной ток в состоянии "Выключено"

-

-

-

-

-

-

-

+

+

-

+

+

+

-

о

-

+

+

+

-

-

+

Примечания

1 Знаком "+" обозначена принадлежность параметров-критериев годности к различным видам испытаний для микросхем категорий качества ВП, ОС, ОСМ и ОТК.

Буквой "о" обозначена принадлежность параметров-критериев годности к различным видам испытаний для интегральных микропроцессорных микросхем категорий качества ВП, ОС, ОСМ.

2 Параметры функционального контроля выбирают из таблицы 1.