ГОСТ Р 70942-2023 УСТРОЙСТВА ЦИФРОВЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ МАШИН ЗАПОМИНАЮЩИЕ. ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ

1 запоминающее устройство; ЗУ: Носитель информации, предназначенный для записи и хранения данных.

storage unit

2 запоминающий элемент: Часть ЗУ, предназначенная для хранения наименьшей единицы данных.

storage element

3 ячейка запоминающего устройства; ячейка ЗУ: Совокупность запоминающих элементов, реализующих ячейку памяти.

storage cell

4 содержимое запоминающего устройства; содержимое ЗУ: Данные, хранящиеся в ЗУ.

storage content

5 носитель информации: Совокупность ячеек запоминающего устройства, обеспечивающая хранение данных, любой материальный объект или среда, используемые человеком, способные достаточно длительное время сохранять в своей структуре занесенную на них информацию без использования дополнительных устройств.

data carrier

6 считывающее устройство: Устройство, выполняющее считывание информации с носителя.

reading device

7 записывающее устройство: Устройство, выполняющее запись информации на носитель.

recording device

8 накопитель информации: Устройство, состоящее из носителя информации, считывающего и записывающего устройств и устройства управления.

storage device

9 оперативное запоминающее устройство; ОЗУ: ЗУ, хранение данных в котором осуществляется при наличии внешнего источника энергии, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций.

random access memory; RAM

10 постоянное запоминающее устройство; ПЗУ: ЗУ однократной записи, из которого может производиться считывание данных.

read-only memory; ROM

11 программируемое постоянное запоминающее устройство; ППЗУ: ПЗУ, в котором запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного, светового, ультрафиолетового или иного воздействия на запоминающие элементы по заданной программе.

programmed read-only memory; PROM

12 внешнее запоминающее устройство; ВЗУ: ЗУ, подключаемое к центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения данных.

external storage

13 статическое запоминающее устройство: ЗУ без регенерации данных при хранении.

static memory

14 динамическое запоминающее устройство: ЗУ с возможностью изменения данных.

dynamic memory

15 энергонезависимое запоминающее устройство: ЗУ, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании.

nonvolatile memory

16 произвольный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в любой последовательности.

random access

17 последовательный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в определенной последовательности.

sequential access

18 ассоциативный доступ: Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам ЗУ в соответствии с признаками хранимых в них данных.

associative access

19 информационная емкость запоминающего устройства: Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в ЗУ.

storage volume

20 цикл обращения к запоминающему устройству; цикл обращения к ЗУ: Минимальный интервал времени между двумя последовательными доступами к данным запоминающего устройства.

access cycle

21 время выборки данных: Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из ЗУ.

access time

22 расчетное время хранения данных в ячейках: Интервал времени, в течение которого ЗУ в заданном режиме сохраняет данные без регенерации.

storage time

23 суммарный объем информации, который гарантированно можно записать на накопитель: Суммарный объем информации, которая может быть за один раз записана на накопитель в течение гарантированного срока эксплуатации устройства.

total byte written; TBW

24 допустимое количество перезаписей всего объема накопителя в день в течение гарантийного срока: Отношение TBW накопителя к его емкости и гарантийному сроку.

disk write per day; DWPD

25 количество циклов перезаписи: Количество циклов "запись - чтение" до деградации (разрушения) запоминающих элементов.

program/erase cycles

26 количество операций ввода/вывода в секунду:

Один из ключевых параметров при измерении производительности запоминающих устройств.

input/output operations per second; IOPS

27 среднее число операций произвольного чтения в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций произвольного чтения в секунду.

IOPS Random Read

28 среднее число операций произвольной записи в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций произвольной записи в секунду.

IOPS Random Write

29 среднее число операций линейного чтения в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций линейного чтения в секунду.

IOPS Sequential Read

30 среднее число операций линейной записи в секунду: Параметр производительности ЗУ, определяющий среднее число операций линейной записи в секунду.

IOPS Sequential Write

31 скорость передачи данных: Количество данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени.

data transfer speed

32 ожидаемое среднее время наработки на отказ: Статистический показатель, представляющий отношение суммарной наработки восстанавливаемого объекта к математическому ожиданию числа его отказов в течение этой наработки.

mean time between failures; MTBF

ВЗУ

12

время выборки данных

21

время наработки на отказ среднее ожидаемое

32

время хранения данных в ячейках расчетное

22

доступ ассоциативный

18

доступ последовательный

17

доступ произвольный

16

емкость запоминающего устройства информационная

19

ЗУ

1

количество операций ввода/вывода в секунду

26

количество перезаписей всего объема накопителя в день в течение гарантийного срока допустимое

24

количество циклов перезаписи

25

накопитель информации

8

носитель информации

5

объем информации, который гарантированно можно записать на накопитель, суммарный

23

ОЗУ

9

ПЗУ

10

ППЗУ

11

скорость передачи данных

31

содержимое запоминающего устройства

4

содержимое ЗУ

4

устройство записывающее

7

устройство запоминающее

1

устройство запоминающее внешнее

12

устройство запоминающее динамическое

14

устройство запоминающее оперативное

9

устройство запоминающее постоянное

10

устройство запоминающее постоянное программируемое

11

устройство запоминающее статическое

13

устройство запоминающее энергонезависимое

15

устройство считывающее

6

цикл обращения к запоминающему устройству

20

цикл обращения к ЗУ

20

число операций линейного чтения в секунду среднее

29

число операций линейной записи в секунду среднее

30

число операций произвольного чтения в секунду среднее

27

число операций произвольной записи в секунду среднее

28

элемент запоминающий

2

ячейка запоминающего устройства

3

ячейка ЗУ

3

access cycle

20

access time

21

associative access

18

data carrier

5

data transfer speed

31

disk write per day

24

dynamic memory

14

external storage

12

input/output operations per second

26

IOPS Random Read

27

IOPS Random Write

28

IOPS Sequential Read

29

IOPS Sequential Write

30

mean time between failures

32

nonvolatile memory

15

program/erase cycles

25

programmed read-only memory

11

random access

16

random access memory

9

reading device

6

read-only memory

10

recording device

7

sequential access

17

static memory

13

storage cell

3

storage content

4

storage device

8

storage element

2

storage unit

1

storage time

22

storage volume

19

total byte written

23

Сокращение

Определение

Основные виды памяти

RAM

Random access memory - память с произвольным доступом

SRAM

Static random access memory - энергозависимая статическая память с произвольным доступом, использующая для хранения данных схему с бистабильной фиксацией.

Примечание - Типичная ячейка хранения данных - триггер

DRAM

Dynamic Random Access Memory - тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом (RAM), где каждый бит информации хранится в отдельном конденсаторе интегральной схемы, а также ЗУ, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров

FRAM

Ferromagnetic Random Access non-volatile Memory - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память.

Примечание - Тип памяти, принцип работы которого основывается на эффекте гистерезиса в сегнетоэлектрике

3D XPoint (Optane)

3D Cross Point - энергонезависимая память на фазовых переходах, разработанная совместно компаниями Intel и Micron.

Примечание - Для записи информации в ячейках памяти используется изменение сопротивления материала

Модификации и поколения оперативной DRAM-памяти

SDRAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory - разновидность DRAM, синхронная динамическая память с произвольным доступом, позволяющая совместную обработку данных

SGRAM

Synchronous Graphic Random Access Memory - модификация DRAM с синхронным доступом для использования в видеоадаптерах, особенностью которой является использование маскирования при записи блока.

Примечание - Маскирование записи позволяет выбрать данные, которые будут изменены за одну операцию. В видеокартах такой способ (блочная запись) заполнения буфера данными для фонового изображения и изображения на переднем плане обрабатывается более эффективно, чем традиционная последовательность операций чтения, обновления и записи

DDR SDRAM,

DDR2 SDRAM,

DDR4 SDRAM,

DDR5 SDRAM

Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory - синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных первого, второго, третьего, четвертого и пятого поколений соответственно

GDDR, GDDR2,

GDDR3, GDDR4,

GDDR5, GDDR6

Graphics Double Data Rate - Модификация энергозависимой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и удвоенной скоростью передачи данных (DDR), предназначенная для использования в графических картах (видеокартах) первого и последующих поколений соответственно.

Примечание - GDDR отличается от более широко известных подтипов памяти DDR SDRAM, хотя их основные технологии являются общими, включая удвоенную скорость передачи данных

LPDDR, mDDR, Low Power DDR

Low Power DDR - это модификация памяти DDR SDRAM для мало потребляемых интерфейсов DDR с некоторыми изменениями для снижения энергопотребления, предназначенная специально для мобильных устройств

LPDDR, LPDDR2,

LPDDR3, LPDDR4

и LPDDR4x, LPDDR5 и LPDDR5x

Модификации LPDDR второго и последующих поколений

VRAM

Video RAM - оперативная память для временного хранения изображения (буфер кадра), сформированного видеоадаптером и передаваемого на видеомонитор.

Примечание - Является двухпортовой памятью - может одновременно записывать данные для изменения изображения в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое для прорисовки его на экране

WRAM

Window RAM - является схемотехническим развитием памяти VRAM - в этой разновидности памяти добавлены электронные логические схемы, ускоряющие общие видеофункции

MDRAM

Multibank DRAM - многобанковое ОЗУ. Модульная динамическая память для видеоадаптеров, в которой обеспечивается возможность одновременного независимого обращения к различным ее областям. Такая память состоит из набора модулей DRAM, ассортимент которых обычно настолько широк, что можно набрать требуемый объем памяти с минимальным неиспользуемым остатком

Часто используемые форм-факторы модулей памяти

DIMM

Dual In-line Memory Module - двухсторонний модуль памяти, форм-фактор модулей памяти DRAM.

Примечание - Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 168, 184, 240, 288 шт.

SO-DIMM

Small Outline DIMM - модуль памяти уменьшенного размера.

Примечание - Предназначен для использования в портативной цифровой технике. Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 144, 200, 204, 260 шт.

Модификации DIMM разных поколений памяти

U-DIMM

Unregistered DRAM - нерегистровая или небуферизованная память (оперативная память, которая не содержит буферов или регистров)

R-DIMM

Registered DIMM или иногда buffered memory - вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти.

Примечание - Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти

LR-DIMM

Load Reduced Dual In-Line Memory Modules (так называемый модуль со сниженной нагрузкой) - относительно новый тип памяти для серверов.

Примечание - Поддерживается процессорами начиная с Intel Xeon E5 и AMD Opteron 6200 начиная с 2012 г. Модули LR-DIMM очень похожи на "обычные" модули памяти типа Registered DIMM (R-DIMM) и даже используют те же печатные платы и чипы памяти DRAM. Однако принцип работы модулей существенно отличается

FB-DIMM

Fully Buffered DIMM - полностью буферизованная DIMM (вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти).

Примечание - Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Стандарт компьютерной памяти, который используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти

HDIMM или HCDIMM

HyperCloud DIMM - модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы

Интерфейс/форм-фактор

Определение

Часто используемые интерфейсы твердотельных накопителей

SATA

Serial Advanced Technology Attachment - последовательный интерфейс обмена данными с накопителями информации.

Примечание - SATA является развитием параллельного интерфейса ATA (IDE), который после появления SATA был переименован в PATA (Parallel ATA)

PCIe

Peripheral Component Interconnect Express - компьютерная шина, использующая программную модель шины PCI и высокопроизводительный физический протокол, основанный на последовательной передаче данных

SAS

Serial Attached SCSI - последовательный компьютерный интерфейс, разработанный для подключения различных устройств хранения данных, например жестких дисков и ленточных накопителей.

Примечание - SAS разработан для замены параллельного интерфейса SCSI и во многом основан на терминологии и наборах команд SCSI

USB

Universal Serial Bus - последовательный интерфейс для подключения периферийных устройств к вычислительной технике

Thunderbolt

Аппаратный интерфейс для изделий под экосистему Apple, ранее известный как Light Peak, разработанный компанией Intel в сотрудничестве с Apple.

Примечание - Служит для подключения различных периферийных устройств к компьютеру

SPI

Serial Peripheral Interface - последовательный периферийный интерфейс, шина SPI; последовательный синхронный стандарт передачи данных в режиме полного дуплекса, предназначенный для обеспечения простого и недорогого высокоскоростного сопряжения микроконтроллеров и периферии

QSPI

Quad Serial Peripheral Interface - последовательный периферийный интерфейс, базовый интерфейс заимствован от шины SPI.

Примечание - Для увеличения скорости обмена пересылка информации идет через четыре линии данных в режиме полудуплекса. Обеспечивает кратное снижение времени латентности при чтении информации из энергонезависимых носителей

I2C

Inter-Integrated Circuit - последовательная асимметричная шина для связи между интегральными схемами внутри электронных приборов

PATA

Parallel Advanced Technology Attachment - параллельный интерфейс подключения накопителей (гибких дисков, жестких дисков и оптических дисководов) к компьютеру

SD

Secure Digital - формат карт памяти (флэш-память), разработанный SD Association (SDA) для использования в портативных устройствах

SD Express

Развитие формата SD, использует интерфейс PCI Express 4.0 и протокол NVMe 1.3 через второй ряд контактов для достижения скоростей до 3,94 ГБ/с

Fibre Channel

Семейство протоколов для высокоскоростной передачи данных, используется как стандартный способ подключения к системам хранения данных уровня предприятия

Часто используемые форм-факторы твердотельных накопителей

3.5"

HDD [Hard (magnetic) Disk Drive] - ЗУ произвольного доступа, основанное на принципе магнитной записи.

Примечание - Основной накопитель данных в большинстве компьютеров. Типовые разъемы: IDE, ATA, SATA, SAS

2.5"

HDD, SSD (Solid-State Drive) - энергонезависимое немеханическое ЗУ на основе микросхем памяти, типовой разъем SATA, SAS

U.2

Форм-фактор и стандарт интерфейса SSD.

Примечание - Геометрия и крепеж 2.5", произвольный разъем SATA, SAS, PCIe и т.д.

M.2

Форм-фактор и стандарт интерфейса SSD.

Примечание - Ламельный разъем как часть монтажной платы (возможны ревизии с различной длиной и ключом разъема)

EDSFF

Enterprise and Datacenter SSD Form Factor - набор стандартных форм-факторов предприятий и центров обработки данных.

Примечание - Включает в себя E1.S, E1.L, E3.S, E3.S 2T, E3.L. Отличаются геометрическими размерами ЗУ. Ламельный разъем - PCIe x4

MMC

Multi Media Card - портативное твердотельное ЗУ, используемое для многократной записи и хранения информации в портативных электронных устройствах.

Примечание - Геометрические размеры - 24 x 32 x 1,5 мм

RS-MMC

Reduced Size MultiMedia Card - уменьшенная версия MMC.

Примечание - Геометрические размеры - 24 x 18 x 1,5 мм

SD

24 x 32 x 2,1 мм

Mini SD

20 x 21,5 x 1,4 мм

Micro SD

11 x 15 x 1 мм

USB Stick

Энергонезависимое портативное твердотельное ЗУ, произвольная геометрия, разъем USB