Утв. и введен в действие приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 7 декабря 2009 г. N 586-ст
Национальный стандарт РФ ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009
"КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ. МЕТОД МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ МЕТАЛЛА. Часть 1. ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ"
Non-destructive testing. Metal magnetic memory. Part 1. Terms and definitions
ОКС 77.040
Т51
ОКСТУ 0009
Дата введения - 1 декабря 2010 г.
Взамен ГОСТ Р 52081-2003
Предисловие
Цели и принципы стандартизации в Российской Федерации установлены Федеральным законом от 27 декабря 2002 г. N 184-ФЗ "О техническом регулировании", а правила применения национальных стандартов Российской Федерации - ГОСТ Р 1.0-2004 "Стандартизация в Российской Федерации. Основные положения"
Сведения о стандарте
1 Подготовлен Автономной некоммерческой организацией "Научно-исследовательский центр контроля и диагностики технических систем" (АНО "НИЦ КД") на основе собственного аутентичного перевода стандарта, указанного в пункте 4
2 Внесен Техническим комитетом по стандартизации ТК 132 "Техническая диагностика"
3 Утвержден и введен в действие приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 7 декабря 2009 г. N 586-ст
4 Настоящий стандарт идентичен международному стандарту ИСО 24497-1:2007 "Контроль неразрушающий. Метод магнитной памяти металла. Часть 1. Термины и определения" (ISO 24497-1:2007 "Non-destructive testing - Metal magnetic memory - Part 1: Vocabulary", IDT)
5 Взамен ГОСТ Р 52081-2003
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения для процедур в области неразрушающего контроля с использованием метода магнитной памяти металла.
Термины, указанные в настоящем стандарте, являются обязательными для использования во всех типах документации и литературы в области неразрушающего контроля, при применении метода магнитной памяти металла, включенного в область действия работ по стандартизации, и/или использовании результатов этих работ.
2 Термины и определения
|
2.1 магнитная память металла; МПМ: Последействие, которое проявляется в виде остаточной намагниченности металла изделий и сварных соединений, сформировавшейся в процессе их изготовления и охлаждения в слабом магнитном поле, или в виде необратимого изменения намагниченности изделий в зонах концентрации напряжений и повреждений от рабочих нагрузок.
|
en Metal magnetic memory
|
|
Примечание - Слабое магнитное поле - геомагнитное поле Земли и другие внешние поля в области Рэлея.
| |
|
2.2 собственное магнитное поле рассеяния изделия; СМПР: Магнитное поле рассеяния, возникающее на поверхности изделия в зонах устойчивых полос скольжения дислокаций под действием рабочих или остаточных напряжений или в зонах максимальной неоднородности структуры металла.
|
en Self-magneticleakage field of the components
|
|
Примечание - СМПР характеризует МПМ.
| |
|
2.3 метод магнитной памяти металла; метод МПМ: Метод неразрушающего контроля, основанный на анализе распределения СМПР на поверхности изделий для определения зон концентрации напряжений, дефектов и неоднородности структур металла и сварных соединений.
|
en Method of metal magnetic memory
|
|
2.4 магнитодислокационный гистерезис: Петля гистерезиса, обусловленная закреплением стенок магнитных доменов (стенок Блоха) на скоплениях дислокаций в слабом магнитном поле.
|
en Magnetodislocation hysteresis
|
|
2.5 критический размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия Iкр: Минимальное расстояние между двумя ближайшими устойчивыми полосами скольжения дислокаций в слоях материала, возникающее в момент потери устойчивости оболочки изделия под действием нагрузок.
|
en Critical size of the local zones of instability of the shell of a component
|
|
Примечание - Критический размер оболочки на поверхности изделия характеризуется расстоянием между двумя ближайшими экстремальными значениями СМПР, кратными типоразмеру оболочки.
| |
|
2.6 напряженность СМПР: Числовая характеристика напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной на поверхности изделия по методу магнитной памяти металла.
|
en SMLF intensity
|
|
2.7 градиент СМПР: Отношение модуля разности напряженности магнитного поля рассеяния, измеренной в двух точках контроля, к расстоянию между ними.
|
en SMLF gradient
|
|
2.8 магнитный показатель деформационной способности металла m: Отношение максимального значения градиента СМПР к среднему значению.
|
en Magnetic index of the deformation capability of the metal
|
|
2.9 предельный магнитный показатель деформационной способности металла mпр: Отношение максимального значения градиента СМПР, соответствующего пределу прочности металла, к среднему значению градиента СМПР, соответствующему пределу текучести металла.
|
en Limiting value mlim of the magnetic index of the metal deformation capability
|
|
2.10 канал измерений СМПР: Напряженность СМПР, измеренная одним феррозондовым преобразователем.
|
en SMLF measurement channel
|
|
2.11 базовое расстояние между двумя каналами измерений СМПР Iб: Расстояние между двумя каналами измерений СМПР, устанавливаемое при настройке датчика.
|
en Base distance between two SMLF measurement channels
|
|
2.12 диаграмма СМПР: Графическое изображение распределения СМПР и его градиента вдоль контролируемого участка.
|
en SMLF diagram
|
|
2.13 дискретность записи напряженности СМПР: Расстояние между двумя соседними точками измерений напряженности магнитного поля рассеяния.
|
en Discreteness unit of the SMLF intensity recording
|
|
2.14 калибровка аппаратуры, применяемой для измерений магнитной памяти металла: Настройка датчиков измерения магнитного поля рассеяния с использованием эталонной катушки и устройства, чувствительного к изменению пространственного положения, с использованием эталонного образца для измерения длины.
|
en Calibration of the equipment used to measure the metal magnetic memory
|
|
2.15 установка режима работы аппаратуры по методу МПМ: Настройка аппаратуры, описанная в руководстве по эксплуатации, в соответствии с главным меню прибора.
|
en Setting of equipment operational mode by the МММ method
|
|
2.16 помехи при измерениях по методу МПМ: Наличие факторов, искажающих СМПР объекта контроля.
|
en Interference noise during measurements by the МММ method
|
Примечание - Факторы, искажающие СМПР объекта контроля:
- источники сильного и неоднородного магнитного поля вблизи объекта контроля;
- наличие постороннего ферромагнитного изделия на объекте контроля или вблизи зоны контроля;
- наличие внешнего магнитного поля и поля от электросварки на объекте контроля;
- наличие локальной искусственной намагниченности металла.
Алфавитный указатель терминов на русском языке
|
гистерезис магнитодислокационный
|
2.4
|
|
градиент СМПР
|
2.7
|
|
диаграмма СМПР
|
2.12
|
|
дискретность записи напряженности СМПР
|
2.13
|
|
калибровка аппаратуры, применяемой для измерений магнитной памяти металла
|
2.14
|
|
канал измерений СМПР
|
2.10
|
|
метод магнитной памяти металла
|
2.3
|
|
метод МПМ
|
2.3
|
|
МПМ
|
2.3
|
|
напряженность СМПР
|
2.6
|
|
память металла магнитная
|
2.1
|
|
показатель деформационной способности металла магнитный
|
2.8
|
|
показатель деформационной способности металла магнитный предельный
|
2.9
|
|
поле рассеяния изделия магнитное собственное
|
2.2
|
|
помехи при измерениях по методу МПМ
|
2.16
|
|
размер локальных зон нарушения устойчивости оболочки изделия критический
|
2.5
|
|
расстояние между двумя каналами измерений СМПР базовое
|
2.11
|
|
СМПР
|
2.2
|
|
установка режима работы аппаратуры по методу МПМ
|
2.15
|
Алфавитный указатель эквивалентов терминов на английском языке
|
base distance between the two SMLF measurement channels
|
2.11
|
|
calibration of the equipment used to measure the metal magnetic memory
|
2.14
|
|
critical size of the local zones of instability of the shell of a component
|
2.5
|
|
discreteness unit of the SMLF intensity recording
|
2.13
|
|
interference noise during measurements by the МММ method
|
2.16
|
|
limiting value of the magnetic index of the metal deformation capability
|
2.9
|
|
magnetic index of the deformation capability of the metal
|
2.8
|
|
magneto-dislocation hysteresis
|
2.4
|
|
metal magnetic memory
|
2.1
|
|
method of metal magnetic memory
|
2.3
|
|
self-magnetic-leakage field of the components
|
2.2
|
|
setting of equipment operational mode by the МММ method
|
2.15
|
|
SMLF diagram
|
2.12
|
|
SMLF gradient
|
2.7
|
|
SMLF intensity
|
2.6
|
|
SMLF measurement channel
|
2.10
|
— Все документы — ГОСТы — ГОСТ Р ИСО 24497-1-2009 КОНТРОЛЬ НЕРАЗРУШАЮЩИЙ. МЕТОД МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ МЕТАЛЛА. Часть 1. ТЕРМИНЫ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ
Аналитик Ляшок: некоторым категориям россиян положена доплата к пенсии
До 2042 года в России появится 11 новых АЭС
Новые правила размещения зарядной инфраструктуры утвердили в Москве
В России за шесть лет ликвидируют не менее 50 экологически опасных объектов
Совфед одобрил выплаты остатков маткапитала россиянам